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CMOS란(CMOS 사용 이유, 특징) 1. CMOS란? ○ Complementary Metal Oxide Semiconductor의 약자로 금속 산화막 반도체라고 불립니다. ○ CMOS는 N-type의 MOSFET과 P-type의 MOSFET을 접속한 것으로 각 Type의 MOSFET의 특성을 상호 보완하는 특징을 갖고 있습니다. ○ 대표적인 CMOS 특징으로는 첫 번째 소비전력면에서 개별 MOSFET보다 매우 우수한 특성을 가집니다. 두 번째 출력 특성이 좋습니다. ○ 또한 CMOS는 BJT 트렌지스터와 비교해서 집적도가 50~100배 더 높은 장점도 있는데, ○ 이는 BJT 트랜지스터로 NOT, NOR과 같은 기본적인 Gate를 구성하려면, 2개 또는 4개의 BJT 트랜지스터가 필요하기 때문입니다. ○ 뿐만 BJT 트렌지스터로 구성한 회.. 2021. 10. 24.
주식관련 세금 및 2022년 2023년 주식 세금 정책 주식과 관련된 세금 ○ 주식 거래를 하면 증권 거래세, 배당 소득세, 양도 소득세 3가지 세금이 부과됩니다. 1. 증권 거래세 ○ 증권을 팔 때 내는 세금으로 매도하는 총금액의 0.25%를 거래세로 납부합니다. 100만 원 치의 주식을 팔면 2500원의 세금을 내는 셈입니다. ○ 거래세는 주식을 팔 경우에 무조건 내야 하는 세금이기 때문에 주식을 자주 거래하게 되면 지속적으로 세금이 나가게 됩니다. ○ 실제로도 거래세를 부과하는 이유는 지나친 단타 위주의 투기성 거래를 방지하기 위함으로 자주 사고파는 것보다는 오래 보유하라는 의도로 매겨지는 세금이라고 합니다. 다만, 내년부터 소득세가 인하된다고 합니다. 자세한 내용은 아래 정리해 두었습니다. 2. 배당 소득세 ○ 배당은 기업이 영업활동으로 벌어들인 이익.. 2021. 10. 19.
MOSFET 구성의 종류(증가형, 공핍형, Planar, FD-soi, FINFET, GAAFET, MBCFET) MOSFET의 종류 1. 채널에 따른 분류 1) 증가형 MOSFET ○ Gate에 전압을 인가하여 소스와 드레인 사이에 채널을 형성하는 일반적으로 알고 있는 모스펫입니다. ○ E-MOSFET(Enhancement)라고도 합니다. 2) 공핍형 MOSFET ○ 증가형 MOSFET의 반대되는 개념으로 물리적으로 채널이 미리 형성되어 있습니다. 따라서 따로 게이트에 전압을 걸어주지 않더라도 전류가 흐르는 상태이며, 게이트 전압을 조절해 전류를 차단하거나 약하게 조절할 수 있습니다. ○ 이 원리는 E-MOSFET과 반대라고 생각하시면 됩니다. N-type E-MOSFET의경우 +전압을 인가해 정공을 밀어내고 N채널을 형성한다면, E-MOSFET의 경우 – 전압을 인가해 정공을 채널로 끌어들여 채널을 좁게 만들게 .. 2021. 10. 17.
MOSFET 구성, 동작, Drain 전류 1. MOSFET의 구성 ○ MOSFET은 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor로 금속, 산화막, 단도체로 이루어진 전계 트랜지스터입니다. 또한 Source, Drain, Gate, Body 네 개의 단자로 이뤄져 있습니다. 1) Gate ○ Metal로 이뤄진 전도성 판으로 채널 형성을 조절하는 역할을 합니다. ○ 초기 MOSFET 제작 당시 Gate는 Metal로 이뤄져 있었느냐 Metal을 사용 시 공정 상 고온 공정을 할 수 없어 Poly 전극으로 대체되었습니다. 그리고 현재는 반도체의 동작전압 문제로 다시 Metal을 사용하고 있습니다. ○ Gate를 이용해 캐리어 채널을 형성시켜 전류를 흐르게 합니다. 즉 스위치 역할을 합니다. 2) Sour.. 2021. 10. 10.
MOSCAP이란? 1. MOSCAP이란? ○ MOSCAP이란 Metal Oxide Semiconductor Capacitor의 약자입니다. ○ MOSCAP은 이름에서 알 수 있듯이 Metal = 금속, Oxide = 절연체, Semiconductor = 반도체로 이뤄진 캐피시터입니다. ○ 캐피시터는 두 개의 금속전극과 그 사이의 유전체로 이뤄져 있습니다. MOSCAP은 이와 유사하게 금속과 반도체 사이 절연체가 삽입된 상태로 캐피시터의 역할을 합니다. 2. MOSCAP 동작 특성 1) n-type MOSCAP의 동작 특성 ○ n-type MOSCAP의 동작은 Accumulation(축적), Depletion(공핍), Inversion(반전) 3가지로 나눌 수 있습니다. ○ 첫 번째 사진은 Accumulation을 나타내고.. 2021. 10. 5.
BJT란? 1. BJT란? ○ N형과 P형으로 도핑된 3개의 반도체 영역(예를 들어 NPN 또는 PNP)으로 구성된 반도체 소자입니다. ○ Diffusion에 의한 전류를 증폭 성질을 갖고 있으며, 보통 이러한 성질을 이용하기 위해 사용하는 소자입니다. 2. BJT의 구성 ○ BJT는 이미터(E), 베이스(B), 콜렉터(C)로 구성되어 있습니다. ○이미터 : 캐리어를 공급하는 단자로, 불순물 농도를 가장 높게 도핑해 줍니다. ○베이스 : 캐리어가 모이는 정도를 조절하는 단자입니다. 즉 전류의 흐름을 제어하는데 사용하는 단자이며, 매우 얇게 만들어 주어야 합니다. 이 이유는 베이스에서는 전자와 정공이 재결합을 하는데 이를 최소화시키기 위해서입니다. ○콜렉터 : 캐리어가 모이게 되는 단자로 불순물 농도가 가장 낮게 도.. 2021. 9. 26.
PN다이오드란?(PN 접합이란?) 다이오드 ○ 양쪽 단자에 인가한 전압의 극성에 따라 한쪽 방향으로만 전류가 흐르거나, 공핍 영역의 두께가 변화하는 등의 특성을 가진 소자입니다. ○ 이러한 다이오드의 성질은 교류를 직류로 변화시키는데, 역전압을 방지하는데, 전압을 일정하게 유지하는데 사용됩니다. ○ 다이오드를 사용해 교류를 직류로 변화시키는 원리 1) 교류는 사실상 전자가 흐르는 것이 아닌 전자가 진동하는 것입니다. 2) 이러한 전자의 움직임은 부하(또는 저항)을 이루는 원자와 부딪히게 되고 전압을 생각하게 됩니다. 즉 부하)또는 저항)에서는 전류가 흐르는 것으로 받아들이는 것입니다. 3) 다이오드의 성질은 한쪽 방향으로만 전류가 흐르는 즉 한쪽 방향으로만 전자가 움직이게 만듭니다. 4) 따라서 그림의 회로에서 전자가 좌우로 움직인다고 .. 2021. 9. 19.
반도체 물성 - 반도체의 전기적 특성 반도체의 전기적 특성 ○ 캐리어의 이동 요인인은 드리프트(Drift), 확산(Diffusion), 열적 이동 3가지가 존재합니다. ○ 그리고 캐리어의 이동은 전류의 흐름과 같습니다. 1. 드리프트(Drift) ○ 전계(Electric Field : E-Field)에 의한 전하의 이동을 의미합니다. ○ 인가된 전압에 의해 전계가 생성되고, 전계에 의해 전자는 양극으로, 정공은 음극으로 이동하는 현상입니다. ○ 이런 현상으로 생성된 전류를 드리프트 전류라고 하며, 이동도가 높을수록 E-Field가 강할수록 전류가 커집니다. ○ 드리프트 전류는 일반적으로 E-Field에 선형적으로 증가하지만, Carrier Scattering에 의해 일정 속도 이상 증가하지 않습니다. 2. 확산(Diffusion) ○ 농도차.. 2021. 9. 15.
반도체 물성 - 진성 반도체, 외인성 반도체 1. 진성 반도체 ○ 불순물(Dopant)이 첨가되지 않은 순수한 반도체입니다. ○ 즉 Si 원소로만 이루어진 반도체입니다. ○ 불순물이 도핑된 외인성 반도체와 비교했을 때 반도체로 사용하기에 원하는 특성이 나오지 않아 잘 사용하지 않습니다. 2. 외인성 반도체 ○ 진성 반도체에 3가나 5가 불순물을 첨가하여 도핑한 반도체입니다. ○ 특정한 원소 도핑을 통해 에너지 밴드 위치를 조정해 원하는 전기적 특성을 만들어 낸 반도체입니다. ○ 과거에는 외인성 반도체를 만들기 위해 도핑을 했지만 최근에는 임플란트를 합니다. 1) P형 반도체 ○ Si에 3가 불순물을 첨가하여 도핑한 반도체입니다. ○ Acceptor 원자 : 가족 원소로 대표적으로 B(붕소), Al(알루미늄), Ga(갈륨), In(인듐)을 사용합니다.. 2021. 9. 10.

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